[发明专利]沟槽金属氧化物场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810177045.0 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101442074A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 申铉光;李旿衡 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴亦华;蔡胜有 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽金属氧化物场效应晶体管，其能够减小寄生电容，从而增加开关速度，本发明还涉及一种制造所述沟槽金属氧化物场效应晶体管的方法。所述沟槽金属氧化物场效应晶体管包括：上面依次形成有外延层和主体层的基层；垂直形成在外延层和主体层的中央部分的沟槽；形成在沟槽两侧壁上的第一栅极氧化膜层；形成在沟槽下部表面和基层上部之间的外延层中的扩展氧化膜层，其厚度大于第一栅极氧化膜层的厚度，其宽度大于沟槽的宽度；形成在具有第一栅极氧化膜层的沟槽中的栅极；形成在栅极上的第二栅极氧化膜层；以及在栅极的上部两侧上形成的源极区，因此，本发明减少了对应于漏极区的外延层和栅极之间的寄生电容的生成，从而提高了开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 金属 氧化物 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种沟槽金属氧化物场效应晶体管，包括：基层，具有依次形成在其上面的外延层和主体层；沟槽，垂直形成在所述外延层和所述主体层的中央部分中；第一栅极氧化膜层，形成在所述沟槽的两侧壁上；扩散氧化膜层，形成在所述沟槽的下部及所述基层的上部之间的外延层上，所述扩散氧化膜层的厚度大于所述第一栅极氧化膜层的厚度，并且所述扩散氧化膜层的宽度大于所述沟槽的宽度；栅极，形成在具有所述第一栅极氧化膜层的所述沟槽中；第二栅极氧化膜层，形成在所述栅极上；以及源极区，形成在所述栅极的上部两侧上。
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