[发明专利]制备掺有金属离子的纳米粒薄膜的方法无效
| 申请号： | 200810177273.8 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101571503A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | Y·约瑟夫 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;G01N31/00;B05D7/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制备掺有金属离子的纳米粒薄膜的方法以及通过所述方法制备的薄膜。该方法包含步骤：a)提供衬底；b)在所述衬底上形成纳米粒的薄膜；c)将所述纳米粒的薄膜或其区域暴露于金属离子溶液。本发明还涉及这种薄膜用于传感装置中、用于检测是否出现或者存在一种分析物的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 金属 离子 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上制备掺有金属离子的纳米粒薄膜的方法，包含步骤：a)提供衬底，b)在所述衬底上形成纳米粒的薄膜，c)将所述纳米粒的薄膜或其区域暴露于金属离子溶液。
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