[发明专利]环绕栅极型半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810177544.X | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101635309A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 张太洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种环绕栅极型半导体器件及其制造方法。通过将硅锗柱和围绕硅锗柱的硅层用作竖直沟道，该环绕栅极型半导体器件提高了电子和空穴的迁移率。栅电极形成为围绕竖直沟道。当将半导体器件用作nMOSFET时，由于硅锗柱而产生应变的硅层用作沟道以增加电子迁移率。当将半导体器件用作pMOSFET时，硅锗柱用作沟道以增加空穴迁移率。由此，无论晶体管为何种类型，半导体器件都可以增强电流供应能力。 | ||
| 搜索关键词： | 环绕 栅极 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种环绕栅极型半导体器件，包括：竖直沟道柱，其在硅基板上形成并且包含锗；硅层，其围绕所述竖直沟道柱；以及栅电极，其围绕所述硅层。
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