[发明专利]一种应用于光电半导体快速升降温制程的温度控制方法

摘要

本发明提供了一种应用于光电半导体快速升降温制程的温度控制方法，运用比例、微分、积分控制器及热偶计回馈的压电信号与设定的目标温度(T.C_E)误差，进行闭回路控制，形成温控点(T.C_C)。为维持均匀的晶圆制程温度，将温度场分割为多区控制系统，将每一区域的电热调整器所需的输入电流信号予以参数化(K Value)，以达到各区域温度可独立控制的目的。另外设立安全监控点，以及总输出功率曲线做为分析目标，限制各区域温度的上、下限与输出功率值，避免因温控点或独立控制区域输出功率不足或超载，而降低晶圆反应的良率或导致系统毁损。

主权项

一种应用于光电半导体快速升降温制程的温度控制方法，其特征在于，其包含至少一电热调整器、一温度控制器、一温度感测器、至少两加热源及一闭回路控制系统彼此电连接；所述闭回路控制系统进行比例、微分、积分闭回路控制及温控点控制，并回馈温度信号至一微电脑介面进行运算/分析及储存相关制程参数，进而监控并即时增/减各独立区域的所述加热源输出功率，以确保制程维持目标温度，其制程情形即时以图控方式显示于面板，所述制程情形包括目标温度、实际制程温度、电热设备控制输出功率、制程气体流量、温度控制信号转换值及其它比对用温度感测器的读值。