[发明专利]薄膜处理设备有效
| 申请号： | 200810177661.6 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101440485A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 车安基;崔宰旭;金东辉;金友镇 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜处理设备包含：腔，其包含反应空间；上部电极，其在所述腔中且包含围绕所述上部电极的中心部分的多个通孔；气体分布板，其在所述上部电极下方且包含分别对应于所述多个通孔的多个接纳孔；耦合装置，其通过所述通孔并插入到所述接纳孔中以将所述上部电极与所述气体分布板耦合；下部电极，其上放置衬底，且面向所述气体分布板，所述反应空间在所述下部电极与所述气体分布板之间；密封部分，其在所述上部电极的顶部表面处并围绕所述通孔，所述密封部分是O形环；以及至少一个冷却部分，其包含冷却路径以冷却所述密封部分。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 处理 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜处理设备，其包括：腔，其包含反应空间；上部电极，其在所述腔中且包含围绕所述上部电极的中心部分的多个通孔；气体分布板，其在所述上部电极下方且包含分别对应于所述多个通孔的多个接纳孔；耦合装置，其通过所述通孔并插入到所述接纳孔中以将所述上部电极与所述气体分布板耦合；下部电极，其上放置衬底，且面向所述气体分布板，所述反应空间在所述下部电极与所述气体分布板之间；密封部分，其在所述上部电极的顶部表面处并围绕所述通孔，所述密封部分是O形环；以及至少一个冷却部分，其包含冷却路径以冷却所述密封部分。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
