[发明专利]半导体存储装置和控制该半导体存储装置的方法无效
| 申请号： | 200810178205.3 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101436426A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/08 | 分类号： | G11C7/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储装置和控制该半导体存储装置的方法。本发明的示例性方面是读出放大器，其具有1.2V或更低的电源电压并且放大位线对之间的电位差；第一晶体管，将电源电压供应到读出放大器；第二晶体管，将低电位侧电压供应到读出放大器；以及控制电路，将第一晶体管控制为在第二晶体管被设置成导通状态之前或在第二晶体管被设置成导通状态的同时处于导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体存储装置，包括：读出放大器，具有1.2V或更低的电源电压并且用于放大位线对之间的电位差；第一晶体管，将所述电源电压供应到所述读出放大器；第二晶体管，将低电位侧电压供应到所述读出放大器；以及控制电路，将所述第一晶体管控制为在所述第二晶体管被设置成导通状态之前或在所述第二晶体管被设置成导通状态的同时处于导通状态。
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