[发明专利]硅结晶化方法无效
| 申请号： | 200810178337.6 | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101445958A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张泽龙;李炳一;张锡弼 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供用于制造结晶特性优异的多晶硅的硅结晶化方法。本发明的硅结晶化方法的特征在于，其包含(a)在非晶硅上配置金属催化剂的步骤、(b)在第1热处理温度下进行热处理的步骤、和(c)在第2热处理温度下进行热处理的步骤，其中，所述第1热处理温度低于所述第2热处理温度。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种硅结晶化方法，其特征在于，其包含：(a)在非晶硅上配置金属催化剂的步骤；(b)在第1热处理温度下进行热处理的步骤；以及，(c)在第2热处理温度下进行热处理的步骤，其中，所述第1热处理温度低于所述第2热处理温度。
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