[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810178476.9 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101447488A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 金廷奎 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L23/522;H01L21/8244;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例，其中多个线和通孔电连接的结构可以包括：可以与存储单元的单元区电连接的第一线，以及在第一线的上侧上和/或上方的第一通孔、第二线、第二通孔、第三线、第三通孔以及第四线。根据本发明实施例，布置在单元区的上侧上的第四线可以以基本上成直线的形式相互平行地形成。根据本发明实施例，可以形成且布置第四线以防止置于双端口SRAM的单元区中的位线相互形成电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种器件，包括：多个第一线，电连接在存储单元的单元区中；以及第一通孔、第二线、第二通孔、第三线、第三通孔以及至少两个第四线，顺序地堆叠在所述多个第一线中的至少一个上方，其中，所述至少两个第四线形成在所述单元区的上部，并且所述至少两个第四线以基本上成直线的形式形成且相互平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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