[发明专利]半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和系统有效
申请号: | 200810178487.7 | 申请日: | 2008-12-01 |
公开(公告)号: | CN101447404A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 菅原佑道;菊池浩 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和系统,包括:具有收纳容器的搬送机构的搬送区域;通过搬入搬出部从收纳容器取下盖并检测被处理体位置的检测机构;从搬送机构将收纳容器交至移载部的交接机构;设在热处理炉下方作业区域、将保持件支撑在盖体上并向热处理炉出入的升降机构;使分割搬送和作业区域的隔壁的开口部与移载部的收纳容器的盖同时开关的门机构;被处理体排列机构。经由通信线路发布的基于初期微动的紧急地震信息由接收部接收或初期微动检测部直接检测初期微动。控制部实行基于接收部接收的紧急地震信息或初期微动检测部检测的初期微动停止半导体制造装置运转的第一工序以及当门机构为打开状态时使其关闭的第二工序。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 中的 地震 受害 扩散 减轻 方法 系统 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法,所述半导体制造装置包括:将收纳被处理体并且具有盖的收纳容器搬入搬出的搬送区域;具有炉口的被处理体的热处理炉;和配置在热处理炉的下方,通过具有开口部的隔壁而与搬送区域分割的作业区域,其中,搬送区域具有:收纳容器的搬入搬出部、收纳容器用的保管搁板部、设置在开口部附近的收纳容器用的移载部、和搬送收纳容器的搬送机构,作业区域具有:将搭载有被处理体的保持件载置在开关炉口的盖体上并且向热处理炉内进行搬入搬出的升降机构、以及在开关隔壁的开口部的同时开关移载部上的收纳容器的盖的门机构,该半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法的特征在于,包括:接收基于经由通信线路发布的初期微动的紧急地震信息或者直接检测初期微动的工序;基于接收的紧急地震信息或者检测到的初期微动停止热处理炉的运转的第一工序;和与该第一工序并行,当所述门机构为打开状态时使该门机构进行关闭动作的第二工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造