[发明专利]曝光掩模以及利用曝光掩模的半导体制造方法无效
| 申请号： | 200810178630.2 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101614952A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 马原光;严泰胜 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种曝光掩模以及利用曝光掩模的半导体制造方法。用于极端紫外辐射(EUV)的曝光掩模包括形成在掩模衬底上方的吸收体以及形成在吸收体上方的反射图案。用于EUV的曝光掩模防止从反射体反射的光被吸收体图案再吸收从而防止遮蔽效应。结果，光致抗蚀剂图案没有变形地反映形成在曝光掩模中的图案，从而获得期望的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 以及 利用 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光掩模，包括：形成在掩模衬底上方的吸收体；以及形成在所述吸收体上方的反射图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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