[发明专利]全息图记录介质的间隙层用膜及全息图用记录介质无效
申请号: | 200810178699.5 | 申请日: | 2008-12-02 |
公开(公告)号: | CN101452250A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 常守秀幸 | 申请(专利权)人: | 帝人化成株式会社 |
主分类号: | G03H1/02 | 分类号: | G03H1/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种由具有高耐热性的聚碳酸酯共聚物构成的全息图记录介质用的膜。即,本发明提供一种全息图记录介质的间隙层用膜及具有该膜的全息图记录介质,该膜由聚碳酸酯共聚物构成,该聚碳酸酯共聚物由结构单元(A)与结构单元(B)构成,在全部结构单元中,结构单元(A)的比例为20~90摩尔%,其中,结构单元(A)用上式[1]表示,(式中,R1~R4分别独立,表示氢原子、含有或不含有芳香族基的碳原子数1~9的烃基或卤原子),结构单元(B)用上式[2]表示。 | ||
搜索关键词: | 全息图 记录 介质 间隙 层用膜 | ||
【主权项】:
1.一种全息图记录介质的间隙层用膜,其由聚碳酸酯共聚物构成,该聚碳酸酯共聚物由结构单元(A)与结构单元(B)构成,在全部结构单元中,结构单元(A)的比例为20~90摩尔%,其中,结构单元(A)用下式[1]表示,
式中,R1~R4分别独立,表示氢原子、含有或不含有芳香族基的碳原子数1~9的烃基或卤原子,结构单元(B)用下式[2]表示,![]()
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