[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810178809.8 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101447468A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 盐泽胜臣;金本恭三;大石敏之;黑川博志;大塚健一;樽井阳一郎;德田安纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/28;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;蒋 骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)和防止Ta膜(14)氧化的作为防氧化膜的第二Pd膜(15)构成，并且形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在该第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(22)。作为防氧化膜的第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，并且由于可以由该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，所以能够抑制在p电极(12)和焊盘电极(22)之间产生的电阻成分。由此，由于能够防止p电极(12)和焊盘电极(22)之间的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备：由氮化物半导体构成的p型接触层；p电极，由在所述p型接触层上依次形成的钯膜和钽膜、以及在所述钽膜上部的整个面上形成的防止所述钽膜氧化的防氧化膜构成；形成在所述防氧化膜上的焊盘电极。
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