[发明专利]具有热辅助写入的磁元件有效
| 申请号： | 200810178903.3 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101452991A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 卢西恩·普雷日贝亚努;塞西尔·莫努里;贝纳德·迪耶尼;克拉里斯·迪克吕埃;里卡多·索萨 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;吴亦华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有利用场或自旋转移的具有热辅助写入的磁元件，包括：称为“限制层”的磁基准层，该磁基准层的磁化方向为固定方向；称为“自由层”的磁存储层(40)，其具有不同磁化方向并由层(47)构成，层(47)由在该层平面内具有磁化作用的铁磁材料制成并且磁性耦合由反铁磁材料制成的磁化限制层；夹在基准层和存储层之间的半导体或限制电流通路绝缘层(42)。将分别由非晶或准非晶材料(45)和具有与所述反铁磁层相同的结构或晶格的材料(46)构成的一个或多个双层置于接触导体或限制电流通路绝缘层(42)的铁磁层(47)与反铁磁层(41)之间的存储层中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辅助 写入 元件 | ||
【主权项】：
1. 一种利用场或自旋转移的具有热辅助写入的磁元件，包括：-称为“限制层”的磁基准层(43)，其磁化处在固定方向上；-称为“自由层”的磁存储层(40)，其具有可变的磁化方向并由层(47)构成，所述层(47)由在该层平面内具有磁化作用的铁磁材料制成并且磁性耦合于由反铁磁材料制成的磁化限制层；-夹在所述基准层和所述存储层之间的半导体或限制电流通路绝缘层(42)，其特征在于，将分别由非晶或准非晶材料(45)和具有与反铁磁层(41)相同的结构或晶格的材料(46)所构成的一个或多个双层置于接触所述半导体或限制电流通路绝缘层(42)的铁磁层(47)与反铁磁层(41)之间的所述存储层中。
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