[发明专利]一种提成多晶硅品质的技术无效
申请号: | 200810179150.8 | 申请日: | 2008-11-27 |
公开(公告)号: | CN101734663A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 赵景 | 申请(专利权)人: | 赵景 |
主分类号: | C01B33/02 | 分类号: | C01B33/02;C01B33/037;C30B29/06;C02F1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种提成多晶硅品质的技术属于环保技术领域,是涉及一种提成多晶硅品质的技术的改进。本发明就是提供一种通过控制高纯水品质提成多晶硅品质的技术。本发明电阻率在18MΩ·cm以上(90%时间)不低于17MΩ·cm(25℃),全硅最大值0.1μg/L,微粒数最大值为0.1个/mL,细菌个数最大值为0.001个/mL,Cu2+最大值为1μg/L,Zn2+最大值为0.5μg/L,Ni+最大值为0.1μg/L;Na+最大值为0.5μg/L,K+最大值为2μg/L,Cl-最大值为1μg/L,NO3-最大值为1μg/L,PO43-最大值为1μg/L,SO42-最大值为1μg/L,TOC最大值为1μg/L,细菌内毒素为0.03(E.U.)。 | ||
搜索关键词: | 一种 提成 多晶 品质 技术 | ||
【主权项】:
一种提成多晶硅品质的技术,其特征在于本发明电阻率在18MΩ·cm以上(90%时间)不低于17MΩ·cm(25℃),全硅最大值0.1μg/L,微粒数最大值为0.1个/mL,细菌个数最大值为0.001个/mL,Cu2+最大值为1μg/L,Zn2+最大值为0.5μg/L,Ni+最大值为0.1μg/L;Na+最大值为0.5μg/L,K+最大值为2μg/L,Cl-最大值为1μg/L,NO3-最大值为1μg/L,PO43-最大值为1μg/L,SO42-最大值为1μg/L,TOC最大值为1μg/L,细菌内毒素为0.03(E.U.)。
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