[发明专利]薄膜晶体管及半导体装置

摘要

提供了一种薄膜晶体管及利用该薄膜晶体管的半导体装置。使结晶性高的层中的接近栅极绝缘膜的层包含赋予一导电型的杂质元素，以便在之后形成的结晶性高的层中形成沟道形成区域，而不是在微晶半导体膜中的刚开始成膜时形成的结晶性差的层中形成沟道形成区域。并且，将包含杂质元素的层用作沟道形成区域。此外，在用作源区域或漏区域的包含杂质元素的一对半导体膜和用作沟道形成区域的包含杂质元素的层之间设置不包含赋予一导电型的杂质元素的层或者与其他层相比，赋予一导电型的杂质元素的浓度低得多的层。

主权项

1. 一种薄膜晶体管，包括：绝缘表面上的导电膜；所述导电膜上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上与所述导电膜重叠的第一半导体膜；以及所述第一半导体膜上的一对第二半导体膜，该一对第二半导体膜包含赋予一导电型的第一杂质元素，其中，所述第一半导体膜包含微晶半导体，并且，所述第一半导体膜包含与所述栅极绝缘膜及所述一对第二半导体膜远离的层，并且，所述层包含与所述第一杂质元素赋予相同的导电型的第二杂质元素。