[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810179754.2 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101452959A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 辛恩宗 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：栅极结构，该栅极结构包括：形成在半导体衬底上的氮氧化硅(SiON)层，形成在该氮氧化硅(SiON)层上的氮氧硅铪(HfSiON)层，形成在该氮氧硅铪(HfSiON)层上的多晶硅层，以及形成在该多晶硅层上的硅化物层；间隔件，位于该栅极结构的侧壁处；以及源极区和漏极区，置于该栅极结构的相对两侧。该半导体制造方法能够减小由铪(Hf)造成的钉扎。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：栅极结构，其包括：位于半导体衬底上的氮氧化硅层，位于该氮氧化硅层上的氮氧硅铪层，位于该氮氧硅铪层上的多晶硅层，以及位于该多晶硅层上的硅化物层；间隔件，位于该栅极结构的侧壁处；以及源极区和漏极区，置于该栅极结构的相对两侧。
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