[发明专利]发光二极管模组反射壁的成型方法无效
| 申请号： | 200810180002.8 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101740400A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李建国;刘木莲;汤茹安 | 申请（专利权）人： | 亚德光机股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;F21V7/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 中国台湾桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明发光二极管模组反射壁的成型方法，藉由抽真空成型方式将基材，贴附于成型模具上进行壁面的成型，再于该壁面形成反射膜以完成反射壁的成品，该反射壁不仅可供发光二极管的光源反射以改变其光线路径，以提升发光二极管的亮度表现，且藉由本发明的成型方法可形成较精密且窄间距排列的反射壁结构，并可简化加工步骤以及降低开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 模组 反射 成型 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，其至少包含下列步骤；A、提供一成型模具，该成型模具上设有复数具有适当间距的预成型部件；B、提供一基材；C、进行抽真空步骤，使该基材朝成型模具贴附，并使该基材形成相对应各预成型部件的复数壁面，以及相对应各间距的底面；D、冲孔成型步骤，于各底面进行冲孔而形成至少一开口部；E、形成反射膜步骤，于各壁面形成反射膜以完成反射壁的成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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