[发明专利]半导体晶圆的保护带切断方法及其装置有效

专利信息
申请号: 200810180123.2 申请日: 2008-11-27
公开(公告)号: CN101447409A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 石井直树;山本雅之 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;B26D7/18;B26D5/08;B26F1/38
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供半导体晶圆的保护带切断方法及其装置。使刀具沿着半导体晶圆的外周进行相对移动,并且利用与刀具一同相对于半导体晶圆进行相对移动的集尘构件将由刀具引起的在带切断部位产生且附着于保护带T的上表面上的尘埃聚集到一起,在带切断结束后,使用吸引喷嘴吸引除去聚集到规定部位的尘埃。
搜索关键词: 半导体 保护 切断 方法 及其 装置
【主权项】:
1. 一种半导体晶圆的保护带切断方法,其沿着晶圆外形切断粘贴于半导体晶圆上的保护带,其中,上述方法包括以下过程:使刀具沿着半导体晶圆的外周进行相对移动,并且使用与刀具一同相对于半导体晶圆进行相对移动的集尘构件将在由刀具切断的带切断部位产生且附着于保护带的上表面上的尘埃聚集到一起,在带切断结束后,使用吸引装置吸引除去由上述集尘构件聚集到规定部位的尘埃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810180123.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top