[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810180245.1 | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101447451A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 申宗勋 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种图像传感器及其制造方法。制造图像传感器的方法包括下述中的至少一个：在半导体衬底上方形成栅极；在半导体衬底和栅极上方顺序沉积多个绝缘膜；通过干法刻蚀去除多个绝缘膜的最上绝缘膜，从而在栅极的侧面形成隔离体；通过湿法刻蚀去除其他绝缘膜而保留半导体衬底上方的多个绝缘膜的最底部绝缘膜。可以防止半导体衬底的表面上的腐蚀，使减少暗信号的产生成为可能，通过轻易地控制残留氧化膜的厚度来防止等离子体损伤，使提高产量和图像分辨率成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：在半导体衬底上方形成栅极；在所述半导体衬底和所述栅极上方沉积第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上方沉积第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上方沉积第三绝缘膜；通过干法刻蚀来去除部分所述第三绝缘膜以在所述栅极的侧面上形成至少一个隔离体；以及通过湿法刻蚀去除所述第二绝缘膜，其中，所述湿法刻蚀在所述半导体衬底上方保留了至少部分所述第一绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
