[发明专利]多位存储单元结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200810180797.2 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101459128A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 金广铨 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/24;H01L45/00;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造包括相变材料的半导体存储单元的方法。多位存储单元可以采用相变材料。这样可以使各种类型的信息存入一个存储单元中。相比于一位存储单元，本发明可以将芯片的尺寸最小化，而不牺牲容量和/或存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：在半导体基板上方形成多个下部导电材料板；在所述多个下部导电材料板上方形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜中形成多个第一接触件，其中，所述多个第一接触件被耦合至所述多个下部导电材料板；在所述第一绝缘膜上方形成多个栅极板，其中，所述多个栅极板被耦合至所述多个第一接触件，以及其中，所述多个栅极板包括相变材料；在所述多个栅极板上方形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜中形成多个第二接触件，其中，所述多个第二接触件被耦合至所述栅极板；以及在所述第二绝缘膜上方形成上部导电材料板，其中，所述上部导电材料板被耦合至所述多个第二接触件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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