[发明专利]碲铟汞光电探测器及其肖特基结构中介质膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种碲铟汞光电探测器及其肖特基结构中介质膜的制备方法。制作步骤是：1)首先除去碲铟汞晶片表面的损伤层、残留杂质以及自然氧化层，然后冲洗干净；2)将处理好的、欲进行硫化的碲铟汞晶片浸没在配制好的阳极化溶液中，将晶片接在设定好阳极化电流值的恒流电源的阳极，将一阴极置于阳极化溶液中并接恒流电源的阴极；3)接通恒流电源进行阳极化，生成的硫化物膜厚度为5～15nm厚，关闭恒流源电源；4)从阳极液中取出已生成硫化物膜的晶片，用去离子水冲洗干净。采用本发明的介质膜不含有导电物质氧化铟，可以降低肖特基势垒，增加量子效率，提高了器件的响应度。

主权项

1、一种碲铟汞光电探测器，包括带有介质膜的肖特基结构，其特征在于：肖特基结构中的介质膜是一层硫化物介质膜。