[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200810181249.1 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101414550A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 三浦峰生 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/04;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘 建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使用SiC半导体基板(1)的半导体装置的制造工序中，在感受器(23)上装载SiC半导体基板(1)，在该SiC半导体基板(1)的表面上配置碳制的C发热部件(3)，通过使感受器(23)和C发热部件(3)在高温下发热而完成用于在SiC半导体基板(1)的表面上形成杂质区域的退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置的制造方法，是在碳化硅半导体基板的表面上形成杂质区域来制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包括：发热部件接触工序，使碳制的发热部件与选择性地离子注入了杂质元素的碳化硅半导体的表面接触；和热处理工序，在所述发热部件接触到碳化硅半导体的表面的状态下，热处理该碳化硅半导体；所述发热部件接触工序，是使碳化硅半导体基板的表面与作为所述发热部件的碳制的感受器接触、以保持碳化硅半导体基板的工序，所述感受器通过高纯度碳CVD进行表面涂布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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