[发明专利]改进的三维掩膜编程只读存储器有效
| 申请号： | 200810181778.1 | 申请日： | 2002-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101546605A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | G11C17/10 | 分类号： | G11C17/10;H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种改进的三维掩膜编程只读存储器，它的至少部分地址线由掺杂的半导体材料构成，且不含金属膜、合金膜或金属化合物膜。它具有较好的可制造性。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 三维 编程 只读存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种改进的三维掩膜编程只读存储器，其特征在于含有：一衬底；多个叠置在衬底上的只读存储层，所述只读存储层通过多个接触通道口与衬底实现电连接；至少一个存储层含有多条地址选择线，至少一部分所述地址选择线由掺杂的半导体材料构成，且不含有单独的金属膜、合金膜或金属化合物膜。
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