[发明专利]半导体装置的制造方法及衬底处理装置

摘要

本发明提供半导体装置的制造方法，该方法包括以下工序：在反应炉1内，在衬底10上进行成膜的工序；将成膜后的衬底10从反应炉1中卸载后，在反应炉1内没有衬底10的状态下，将反应炉1内部的工序骤冷。与自然空气冷却比较，使反应炉1内部附着的堆积膜的应力增大，积极地产生热应力，使堆积膜发生强于自然空气冷却的强制龟裂。因发生龟裂而飞散的微粒通过大气压状态下的炉内净化被强制且有效地排放到反应炉外。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括以下工序：将衬底装载到反应炉内的工序；在所述反应炉内，在所述衬底上进行成膜的工序；将成膜后的所述衬底从所述反应炉内卸载的工序；卸载所述衬底后，在所述反应炉内没有所述衬底的状态下，向所述反应炉外部流入冷却介质同时向所述反应炉内部流入气体的工序。