[发明专利]高分散性纳米级聚(3,4-乙撑二氧噻吩)及其制备与应用有效
申请号: | 200810182456.9 | 申请日: | 2008-12-08 |
公开(公告)号: | CN101407575A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 李昕;李小宁;赵国樑;孙强;金俊平 | 申请(专利权)人: | 北京服装学院 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;C09K11/06;C09K9/02;H01B1/12;H05K9/00;D01F6/76 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 刘金辉 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种高分散性纳米级PEDOT[聚(3,4-乙撑二氧噻吩)],该聚合物所包含颗粒的平均直径为50~500nm,并且其分散度参数Di为0.1~10nm/d。此外,本发明还涉及一种制备所述纳米聚合物的方法,该方法利用含氟有机酸和/或其盐类表面活性剂作为掺杂剂,通过自组装化学氧化聚合法获得纳米级PEDOT。该方法成功地解决了PEDOT纳米材料的团聚问题,且操作过程简单,成本低廉,易于工业化实施。最后,本发明还涉及本发明的纳米级PEDOT在生产电子器件的电极材料、电致发光或电致变色材料、防静电材料、电磁屏蔽材料、吸波材料、防腐蚀材料、导电纤维方面的应用。 | ||
搜索关键词: | 分散性 纳米 二氧 噻吩 及其 制备 应用 | ||
【主权项】:
1.一种纳米级聚(3,4-乙撑二氧噻吩),该聚合物包含聚(3,4-乙撑二氧噻吩)颗粒,其特征在于,所述颗粒的平均直径在50~500nm范围内,并且其分散度参数Di在0.1~10nm/d的范围内,而Di具有如下定义:
其中:
为纳米级聚合物放置一定时间后其包含的颗粒的平均粒径,
为新合成的纳米级聚合物所包含的颗粒的平均粒径;ΔT为纳米级聚合物放置的时间。
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