[发明专利]石墨烯纳米器件的制造有效
| 申请号： | 200810182767.5 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101643199A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 洪承焄;李周炯;金泰铉 | 申请（专利权）人： | 首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴亦华;蔡胜有 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种纳米尺度石墨烯结构制造技术。在石墨烯层上形成用作掩模的氧化物纳米线，然后进行离子束蚀刻。在离子束蚀刻后，通过除去残余的氧化物纳米线而制造出纳米尺度的石墨烯结构。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 纳米 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造石墨烯纳米结构的方法，所述方法包括：在石墨烯层上形成氧化物纳米结构；使所述氧化物纳米结构在石墨烯层上按预定方向排列；利用所述排列好的氧化物纳米结构作为掩模，实施各向异性蚀刻；和在所述各向异性蚀刻后，除去残余的氧化物纳米结构。
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