[发明专利]形成导电线和相似特征的方法无效
申请号: | 200810183303.6 | 申请日: | 2008-12-02 |
公开(公告)号: | CN101452973A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | S·J·林布;E·J·什拉德 | 申请(专利权)人: | 帕洛阿尔托研究中心公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/768;H01L21/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王丹昕 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及形成导电线和相似特征的方法。一种印刷图案化结构可以用作自对准的蚀刻和沉积掩膜。在多个层上形成导电线和其它相似特征的方法包括在第一层上形成印刷图案化结构。该印刷图案化结构用作蚀刻掩膜以露出部分第二层。使用该印刷图案化结构作为沉积掩膜在该露出的部分第二层上形成种子层。例如藉由使用该种子层作为接触垫且使用该印刷图案化结构作为沉积掩膜的电镀,可以形成导电线或其它特征。本发明特别适用于形成太阳能电池的结构等,其中该印刷图案化结构可用于形成高的高宽比的结构。 | ||
搜索关键词: | 形成 导电 相似 特征 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种在光敏衬底的区域上形成导电线的方法,所述导电线与该区域电接触,该方法包括如下步骤:在所述衬底上形成第一层;在所述第一层上形成印刷图案化掩膜结构,该印刷图案化掩膜结构与所述第一层接触,所述印刷图案化掩膜结构由多个个体小滴组成以便在其中具有开口;穿过所述印刷图案化结构中的所述开口蚀刻所述第一层,从而定义露出所述光敏衬底的一部分的沟道区域;在所述光敏衬底的露出部分上的所述开口中沉积种子层;以及通过电镀工艺在所述开口中的所述种子层上沉积镀敷材料,所述电镀工艺使用所述种子层作为导电垫,并且进一步使用所述印刷图案化结构作为沉积掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的