[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括形成于半导体衬底上方并具有相同导电类型的第一MISFET和第二MISFET。该第一MISFET具有布置在该半导体衬底上方的第一栅极绝缘膜、布置在该第一栅极绝缘膜上方的第一栅电极、以及第一源极区和第一漏极区。该第二MISFET具有布置在该半导体衬底上方的第二栅极绝缘膜、布置在该第二栅极绝缘膜上方的第二栅电极、以及第二源极区和第二漏极区。该第一栅电极和第二栅电极电连接，该第一源极区和第二源极区电连接，以及该第一漏极区和第二漏极区电连接。相应地，该第一MISFET和第二MISFET并联连接。此外，该第一MISFET和第二MISFET的阈值电压不同。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：第一MISFET，制作在半导体衬底上方并具有第一导电类型；以及第二MISFET，制作在该半导体衬底上方并具有与该第一导电类型相同的导电类型，其中该第一MISFET包括：(a1)布置于该半导体衬底上方的第一栅极绝缘膜；(b1)布置于该第一栅极绝缘膜上方的第一栅电极；以及(c1)第一源极区和第一漏极区，其中该第二MISFET包括：(a2)布置于该半导体衬底上方的第二栅极绝缘膜；(b2)布置于该第二栅极绝缘膜上方的第二栅电极；以及(c2)第二源极区和第二漏极区，其中该第一栅电极和该第二栅电极电连接，该第一源极区和该第二源极区电连接，以及该第一漏极区和该第二漏极区电连接，相应地该第一MISFET和该第二MISFET并联连接，以及其中该第一MISFET的阈值电压和该第二MISFET的阈值电压互不相同。