[发明专利]制造单晶或多晶半导体材料的方法

摘要

本发明涉及一种经由定向凝固、具体来说使用垂直梯度冷冻法来制造单晶或多晶半导体材料的方法，其中将块状半导体原材料引入熔化坩埚中并且使其在所述坩埚中熔化，且定向凝固。为防止污染和损坏，从熔化坩埚的上端熔化半导体原材料。熔融材料向下滴，使得尚未熔化的半导体原材料在熔化坩埚中逐渐坍落。在这种情况下，将附加的半导体原材料从上方补充到熔化坩埚中尚未熔化或未完全熔化的半导体原材料区上，从而至少部分地补偿所述半导体原材料的体积收缩并增加坩埚的填料料位。为减少熔化时间且尽可能少地影响系统中的热条件，通过有目的地引入热来将欲补充的半导体原材料加热到低于所述半导体原材料的熔化温度的温度，且将处于加热状态的所述原材料引入容器中。

主权项

1. 一种使用垂直梯度冷冻法来制造单晶或多晶半导体材料的方法，其中将块状半导体原材料(20)引入熔化坩埚(2；38)中且使其在所述坩埚中熔化，并定向凝固，在所述方法中，温度分布是由所述熔化坩埚(2；38)的上端到底部来建立，所述温度分布以使分开液相与结晶析出材料的相界从所述熔化坩埚的底部开始逐渐向所述熔化坩埚的上端迁移的方式轴向移位，在所述方法中，从所述熔化坩埚的上端熔化所述半导体原材料(20)，使得熔融材料向下滴且尚未熔化的半导体原材料(20)在所述熔化坩埚(2；38)中逐渐坍落；且将附加半导体原材料(20)从上方补充到所述熔化坩埚中尚未熔化或未完全熔化的半导体原材料区(21)上，以便至少部分地补偿所述半导体原材料的体积收缩。