[发明专利]电熔丝结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200810184704.3 申请日: 2008-12-29
公开(公告)号: CN101771021A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 郭建利;林永昌;吴贵盛;林三富 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭露一种电熔丝结构,其包含设于半导体基底表面的熔丝本体、电性连接熔丝本体的一端的阴极、以及电性连接熔丝本体的另一端的阳极。依据本发明的较佳实施例,至少部分的熔丝本体上设有压缩应力层(compressive stress layer)。
搜索关键词: 电熔丝 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种电熔丝结构,包含:熔丝本体,设于半导体基底表面之上,且至少部分该熔丝本体上覆盖有压缩应力层(compressive stress layer);阴极,电性连接该熔丝本体的一端;以及阳极,电性连接该熔丝本体的另一端。
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