[发明专利]半导体存储器件和用于半导体存储器件的复位方法有效
| 申请号： | 200810184940.5 | 申请日： | 2008-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN101471127A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 高野将 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器件和用于半导体存储器件的复位方法。本发明的实施例的示例性方面是半导体存储器件，其包括：上电复位发生器，其根据电源电压的电平而输出第一复位信号；命令解码器，其根据外部控制引脚的输入而移至模式设定状态并根据从地址引脚输入的命令而输出模式设定信息；MRS控制器，其根据模式设定信息而输出模式复位信号(MRSPON信号)；以及复位电路，其根据模式复位信号和第一复位信号而输出第二复位信号，所述第二复位信号对操作控制部分的每个电路进行初始化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 用于 复位 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体存储器件，包括：电压检测器，所述电压检测器根据电源电压的电平而输出第一复位信号；命令解码器，所述命令解码器根据外部控制引脚的输入而移至模式设定状态并根据从地址引脚输入的命令而输出模式设定信息；模式寄存器设定电路，所述模式寄存器设定电路根据所述模式设定信息而输出模式复位信号；以及复位电路，所述复位电路根据所述模式复位信号和所述第一复位信号而输出第二复位信号，所述第二复位信号对内部操作设定电路进行初始化。
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