[发明专利]一种基于半导体层的电荷感应成像方法无效
| 申请号： | 200810184963.6 | 申请日： | 2008-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101478645A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 赵宝升;赵菲菲;赛小锋;张兴华;韦永林;刘永安;朱香平;鄢秋荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H01J31/26;H01J31/48 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710119陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于半导体层的电荷感应成像方法，1)将光电成像器件的荧光屏换成带衬底的半导体层，在半导体层的衬底背面的真空外侧设置位敏阳极，所述半导体层的方块电阻范围为100MΩ/□～1000MΩ/□；2)光电成像器件的光电变换部分接收测量目标的光信号，发射光电子进入电子光学系统，经聚焦后进入微通道板倍增，形成电子云；3)电子云经过电场加速后轰击微通道板后的半导体层；4)半导体层上的电荷通过电荷感应由半导体层衬底背面的位敏阳极收集；5)通过位敏阳极外接电子读出电路和计算机图像输出电路实现成像探测。本发明解决了现有的技术成像质量差、真空封装难、阳极更换不方便的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 电荷 感应 成像 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于半导体层的电荷感应成像方法，其特征在于：1]将光电成像器件的荧光屏换成带衬底(6)的半导体层(5)，在半导体层(5)的衬底(6)背面的真空外侧设置位敏阳极(7)，所述半导体层(5)的方块电阻范围为100MΩ/□～1000MΩ/□；2]光电成像器件的光电变换部分(2)接收测量目标的光信号，发射光电子进入电子光学系统(3)，经聚焦后进入微通道板(4)倍增，形成电子云；3]电子云经过电场加速后轰击微通道板(4)后的半导体层(5)；4]半导体层(5)上的电荷通过电荷感应由半导体层(5)衬底(6)背面的位敏阳极(7)收集；5]通过位敏阳极外接电子读出电路(9)和计算机图像输出电路(10)实现成像探测。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院西安光学精密机械研究所，未经中国科学院西安光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810184963.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
