[发明专利]采用自剥离用于生产氮化镓单晶衬底的方法有效
| 申请号： | 200810185167.4 | 申请日： | 2008-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101459215A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李浩准;金杜洙;李东键;金容进 | 申请（专利权）人： | 斯尔瑞恩公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/00;H01L21/20;H01L21/205;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生产氮化镓单晶衬底的方法，包括(a)在由具有比氮化镓更小热膨胀系数的材料制成的平坦基础衬底上生长氮化镓膜并冷却氮化镓膜以使基础衬底和氮化镓膜向上凸起弯曲，并在氮化镓膜中产生裂纹；(b)在位于向上凸起的基础衬底上的产生裂纹的氮化镓膜上生长氮化镓单晶层；以及(c)冷却具有长成的氮化镓单晶层的所得产品以使向上凸起的所得产品变平或使向上凸起的所得产品向下凸起弯曲并同时使基础衬底和氮化镓单晶层在插入其间的产生裂纹的氮化镓膜处相互自剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 剥离 用于 生产 氮化 镓单晶 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于生产氮化镓单晶衬底的方法，包括：(a)在由具有比氮化镓更小热膨胀系数的材料制成的平坦基础衬底上生长氮化镓膜并冷却所述氮化镓膜以使所述基础衬底和所述氮化镓膜向上凸起弯曲，并且同时在所述氮化镓膜中产生裂纹；(b)在位于所述向上凸起的基础衬底上的所述产生裂纹的氮化镓膜上生长氮化镓单晶层；以及(c)冷却具有长成的氮化镓单晶层的所得产品以使所述向上凸起的所得产品变平或使所述向上凸起的所得产品向下凸起弯曲并同时使所述基础衬底和所述氮化镓单晶层在插入其间的所述产生裂纹的氮化镓膜处相互自剥离。
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