[发明专利]半芯片封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810185205.6 申请日: 2008-12-18
公开(公告)号: CN101752328A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 谢瑞青;张平;陈重德;潘力齐;王郁仁;王钦宏 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L21/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构包括散热基板、芯片及异质接合导热缓冲层。芯片配置于散热基板上。异质接合导热缓冲层配置于散热基板与芯片之间。异质接合导热缓冲层包括多个垂直于散热基板配置的柱状体,且各柱状体的深宽比介于约3∶1到50∶1之间。
搜索关键词: 芯片 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种芯片封装结构,其特征在于:该结构包括:散热基板;芯片,配置于该散热基板上;以及异质接合导热缓冲层,配置于该散热基板与该芯片之间,其中该异质接合导热缓冲层包括多个垂直于该散热基板配置的柱状体,且各该柱状体的深宽比介于3∶1到50∶1之间。
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