[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200810185612.7 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752424A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 颜精一;陈良湘 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括栅极、至少一无机材料层、至少一介电层、源极、漏极与有源层。栅极，位于基板上。无机材料层，覆盖住栅极。介电层至少包括有机材料，覆盖于基板上，其具有开口，裸露出栅极上的无机材料层。源极与漏极，分别位于介电层以及开口所裸露出的部分无机材料层上，源极与漏极之间具有沟道区。有源层，位于沟道区上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极，位于基板上；至少一无机材料层，覆盖住该栅极；至少一介电层，包括有机材料，覆盖于该基板上，其具有开口，裸露出该栅极上的该无机材料层；源极与漏极，分别位于该介电层以及该开口所裸露出的部分该无机材料层上，该源极与该漏极之间具有沟道区；以及有源层，位于该沟道区上。
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