[发明专利]具有超级结的半导体器件有效
| 申请号： | 200810185653.6 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101465370A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 利田祐麻;榊原纯;山口仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一半导体层(1)；具有第一和第二柱层(11a-18a，11b-18b)的PN柱层(11-18)；以及第二半导体层(3)。第一和第二柱层中的每一个都包括沿水平方向交替设置的第一和第二柱(21n，21p)。第一和第二柱层分别具有通过在预定深度从第一柱中的杂质量减去第二柱中的杂质量定义的第一和第二杂质量差异。第一杂质量差异为恒定的正值。第二杂质量差异为恒定的负值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超级 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的第一半导体层(1)；设置于所述第一半导体层(1)上的PN柱层(11-18)；以及具有第二导电类型且设置于所述PN柱层(11-18)上的第二半导体层(3)，其中所述PN柱层(11-18)包括第一柱层(11a-18a)和第二柱层(11b-18b)，其中所述第一柱层(11a-18a)设置于所述第一半导体层(1)上，且所述第二柱层(11b-18b)设置于所述第一柱层(11a-18a)和所述第二半导体层(3)之间，其中所述第一柱层(11a-18a)和所述第二柱层(11b-18b)中的每一个包括具有所述第一导电类型的第一柱(21n)和具有所述第二导电类型的第二柱(21p)，其中沿着平行于所述PN柱层(11-18)和所述第一半导体层(1)之间的第一边界的水平方向交替设置所述第一柱层(11a-18a)中的所述第一柱(21n)和所述第二柱(21p)，其中沿着平行于所述PN柱层(11-18)和所述第二半导体层(3)之间的第二边界的水平方向交替设置所述第二柱层(11b-18b)中的所述第一柱(21n)和所述第二柱(21p)，其中所述第一柱层(11a-18a)具有第一杂质量差异，所述第一杂质量差异是在距所述第一边界预定深度处、通过从所述第一柱(21n)中的杂质量减去所述第二柱(21p)中的杂质量而定义的，其中所述第二柱层(11b-18b)具有第二杂质量差异，所述第二杂质量差异是在距所述PN柱层(11-18)和所述第二半导体层(3)之间的第二边界预定深度处、通过从所述第一柱(21n)中的杂质量减去所述第二柱(21p)中的杂质量而定义的，其中所述第一杂质量差异是恒定的正值，并且其中所述第二杂质量差异是恒定的负值。
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