[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810185754.3 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101459157A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 郑恩洙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例，半导体器件可以包括与半导体衬底相隔预定间隔的金属膜，在该金属膜中形成有多个刻蚀孔。可以提供底部金属图样和顶部金属图样，其中底部金属图样布置在半导体衬底和金属膜之间的间隔上和/或上方，而顶部金属图样形成在底部金属图样上和/或上方。可以在半导体衬底上和/或上方形成支柱，该支柱可以支撑底部金属图样的下部表面的一侧。可以在半导体衬底上和/或上方形成衬垫，并且可以在底部金属图样和衬垫之间插入与底部金属图样相对应的空气层。根据本发明实施例，可以提供热释电开关晶体管，该热释电开关晶体管使用了具有不同热膨胀系数的双金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种器件，包括：衬垫，形成在半导体衬底上方；支柱，形成在所述半导体衬底上方，并且邻近所述衬垫；底部金属图样，位于所述支柱上方，所述底部金属图样具有的宽度延伸超过所述支柱的宽度，且延伸至一定的位置，所述一定的位置位于所述衬垫形成的位置上方；顶部金属图样，形成在所述底部金属图样上方；金属连接器，连接至所述顶部金属图样；以及空气层，置于所述底部金属图样和所述衬垫之间。
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