[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法、半导体装置和电子设备无效
| 申请号： | 200810185770.2 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101458134A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 泷泽照夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16;H01L41/113;H01L41/047;H01L27/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可以使与CMOS等的半导体电路的一体化变得容易、且压力检测的灵敏度高的半导体压力传感器及其制造方法、半导体装置及电子设备。该半导体压力传感器包括：第一基板(21)、层压在所述第一基板(21)上的埋入绝缘膜(3)和层压在所述埋入绝缘膜(3)上的第二基板(22)，在所述第二基板(22)上层压形成有压电膜(4)和电极(5)，除去与第二基板(22)上配置有压电膜(4)和电极(5)的区域对应的第一基板(21)的至少一部分，电极(5)包括形成在第二电极(22)上的下部电极(51)、形成在层压于该下部电极(51)上的压电膜(4)上的上部电极(52)，该上部电极(52)至少设置有两个以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 压力传感器 及其 制造 方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体压力传感器，包括第一基板、层压于所述第一基板上的埋入绝缘膜、以及层压于所述埋入绝缘膜上的第二基板，在所述第二基板上层压形成有压电膜和电极，除去与在所述第二基板上配置有所述压电膜和所述电极的区域对应的所述第一基板的至少一部分，所述半导体压力传感器的特征在于，所述电极包括：下部电极，形成在所述第二基板上；以及上部电极，形成于层压在所述下部电极上的所述压电膜上，其中，所述上部电极至少设置有两个以上。
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