[发明专利]电源切换电路有效

专利信息
申请号: 200810186366.7 申请日: 2008-12-05
公开(公告)号: CN101452746A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 武田尚久;宇都宫文靖 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 何欣亭;王丹昕
地址: 日本千叶*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明“电源切换电路”提供不进行双极动作的电源切换电路。其中:由于耗尽型NMOS晶体管(15~16)是NMOS晶体管,即使耗尽型NMOS晶体管(15~16)的源极电压成为电源电压VPP1,耗尽型NMOS晶体管(15~16)也不进行双极动作。由于耗尽型NMOS晶体管(16)是NMOS晶体管,即使耗尽型NMOS晶体管(16)的源极电压成为电源电压VPP2,耗尽型NMOS晶体管(16)也不进行双极动作。即使增强型PMOS晶体管(14)的栅极电压及源极电压成为电源电压VPP1,漏极电压成为电源电压VPP2,由于增强型PMOS晶体管(14)的栅极电压及源极电压比漏极电压高,增强型PMOS晶体管(14)也不进行双极动作。
搜索关键词: 电源 切换 电路
【主权项】:
1. 一种切换在非易失性存储器内部使用的多个电源电压并输出到电源电压输出端子的电源切换电路,其特征在于设有:被输入所述多个电源电压中的最高电压即第一电源电压的第一电源电压输入端子;被输入比所述第一电源电压低的电压即第二电源电压的第二电源电压输入端子;设于所述第一电源电压输入端子与所述电源电压输出端子之间、其背栅极连接在所述第一电源电压上的增强型PMOS晶体管;设于所述第二电源电压输入端子与所述电源电压输出端子之间、其背栅极连接在VSS上的耗尽型NMOS晶体管;将控制所述增强型PMOS晶体管的栅极的第一控制信号的振幅变换成第一电源电压-VSS的第一电平移动电路;以及将控制所述耗尽型NMOS晶体管的栅极的第二控制信号的振幅变换成第一电源电压-VSS的第二电平移动电路。
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