[发明专利]多晶硅还原炉用硅芯电极有效
| 申请号： | 200810186618.6 | 申请日： | 2008-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101440519A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 周积卫;茅陆荣;程佳彪;郝振良 | 申请（专利权）人： | 上海森松环境技术工程有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐乐慧 |
| 地址： | 201208上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅还原炉用硅芯电极，其包括有电极体、套置于该电极体顶部的加热石墨头硅芯、套设于电极体外缘的电极座、及位于电极体与电极座之间的绝缘套筒；电极体内部中间形成有盲孔，电极体位于还原炉外部即盲孔的开口端设置有能使冷却水循环进入电极体盲孔内部对电极体进行进一步冷却的冷却装置。借由本发明的硅芯电极，可以防止由于温度过高导致绝缘套筒失效造成的电极击穿现象。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 炉用硅芯 电极 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅还原炉用硅芯电极，包含：电极体、套置于该电极体顶部的加热石墨头硅芯、套设于电极体外缘的电极座、及位于电极体与电极座之间的绝缘套筒；其特征在于，所述电极体内部中间形成有盲孔，所述电极体位于所述还原炉外部即盲孔的开口端设置有能使冷却水循环进入所述电极体盲孔内部对所述电极体进行进一步冷却的冷却装置。
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