[发明专利]使用混合式辅助特征系统形成半导体器件的图案的方法无效
| 申请号： | 200810186656.1 | 申请日： | 2008-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101609787A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 李钿揆 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/82;H01L21/768;G03F1/00;G03F1/14;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体器件的图案的方法包括在晶片的密集图案区域中设置要被转印的密集图案。在密集图案外的区域中插入用于限制密集图案的图案变形的第一虚设图案。在第一虚设图案内的区域中插入用于限制第一虚设图案的图案变形的第一辅助特征。在第一虚设图案外的区域中插入用于额外限制第一虚设图案的图案变形的第二辅助特征的阵列，以便设计要被转印至晶片上的图案布局。通过以曝光工艺转印图案布局至晶片上，形成第一虚设图案和密集图案的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 混合式 辅助 特征 系统 形成 半导体器件 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的图案的方法，所述方法包括：设置要被转印的密集图案至晶片的密集图案区域中；在所述密集图案外的区域中插入用于限制所述密集图案的图案变形的第一虚设图案；在所述第一虚设图案内的区域中插入用于限制所述第一虚设图案的图案变形的第一辅助特征；在所述第一虚设图案外的区域中插入用于额外限制所述第一虚设图案的图案变形的第二辅助特征的阵列，以设计要被转印至所述晶片上的图案布局；以及通过以曝光工艺转印所述图案布局至所述晶片上，形成所述第一虚设图案和所述密集图案的阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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