[发明专利]一种石墨基体无裂纹TaC涂层及其制造方法

摘要

本发明公开了一种石墨基体无裂纹TaC涂层及其制造方法，在石墨基体上沉积有过渡涂层，在过渡涂层外层沉积有TaC主涂层；过渡涂层由SiC-TaC共沉积涂层构成，或由SiC-TaC共沉积涂层和SiC/TaC多层涂层两种过渡层复合构成；过渡涂层为SiC-TaC共沉积涂层和SiC/TaC多层涂层两种过渡层复合构成时，SiC-TaC共沉积涂层作为第一过渡层，SiC/TaC多层涂层作为第二过渡层，然后结束过渡涂层的沉积或进行SiC-TaC共沉积涂层和SiC/TaC多层涂层交替沉积多次。在石墨材料表面沉积出热应力小、无宏观裂纹、耐腐蚀、热稳定性好的TaC涂层。该方法适应制备晶体、半导体生产用的石墨基座、石墨坩埚、石墨气管、石墨导流筒涂层及其他各种高温环境下使用的石墨部件防腐、防污染、防渗透、防氧化等防护与保洁涂层。

主权项

1、一种石墨基体无裂纹TaC涂层，包括石墨基体，其特征在于：在所述的石墨基体上沉积过渡涂层，在所述的过渡涂层外层沉积一层TaC主涂层；所述的过渡涂层由SiC—TaC共沉积涂层构成，或由SiC—TaC共沉积涂层和SiC/TaC多层涂层两种过渡层复合构成；所述的过渡涂层为SiC—TaC共沉积涂层和SiC/TaC多层涂层两种过渡层复合构成时，所述的SiC—TaC共沉积涂层作为第一过渡层，所述的SiC/TaC多层涂层作为第二过渡层，然后结束过渡涂层的沉积或进行SiC—TaC共沉积涂层和SiC/TaC多层涂层交替沉积多次；SiC—TaC共沉积过渡涂层厚度为15～30μm，SiC/TaC多层涂层中SiC涂层厚度为0.05～5μm，TaC涂层厚度为0.05～5μm，纯TaC涂层厚度为5～1000μm。