[发明专利]显示装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种具有高开口率且具有大容量的存储电容器的显示装置。本发明涉及一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：包括栅电极；栅极绝缘膜；第一半导体层；沟道保护膜；分离为源区和漏区，以及源电极和漏电极的导电性第二半导体层的薄膜晶体管；在所述第二导电膜上形成的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上且与源电极或漏电极的一方电连接的像素电极；夹着电容布线上的第三绝缘层形成在第一绝缘层上的电容布线与像素电极的重叠区域中的存储电容器。

主权项

1. 一种显示装置，包括：薄膜晶体管，包括：由第一导电膜形成的栅电极；由所述栅电极上的第一绝缘层形成的栅极绝缘膜；所述第一绝缘层上的第一半导体层，其中所述第一半导体层与所述栅电极重叠；由设置在所述第一半导体层上的第二绝缘层形成的沟道保护膜，其中所述沟道保护膜与所述栅电极重叠；包含赋予一种导电型的杂质元素的第二半导体层，其中所述第二半导体层与所述第一半导体层重叠，且所述第二半导体层被分离为源区和漏区，并且在所述沟道保护膜上设置所述源区的一端部和所述漏区的一端部；以及所述源区上的源电极和所述漏区上的漏电极，其中所述源电极和所述漏电极由第二导电膜形成；在所述源电极和所述漏电极上形成的第三绝缘层；由所述第三绝缘层上的第三绝缘膜形成的像素电极，其中所述像素电极通过在第三绝缘层中形成的接触孔与所述源电极或漏电极的一方电连接；在所述第一绝缘层上由所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述第二导电膜的层叠体形成的电容布线；以及由所述电容布线、所述第三绝缘层、所述像素电极的层叠体形成的存储电容器。