[发明专利]非易失性半导体存储装置及其写入与读出方法有效
| 申请号： | 200810187037.4 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101458962A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 津村和宏 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;H01L27/115;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;刘春元 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明“非易失性半导体存储装置及其写入与读出方法”提供：用由存储元件以外的MOS晶体管确定的最大工作电压以内的电压进行写入，即使将由所述存储元件以外的MOS晶体管确定的最大工作电压在所要求的期间持续施加，也不会引起数据的反转的非易失性半导体存储装置及其写入方法和读出方法。为此，在同一衬底上形成在栅导通状态下的漏极耐压即导通耐压不同的MOS晶体管，将导通耐压低的一方的MOS晶体管作为存储元件来使用，通过利用在栅导通状态下漏极耐压低，使导通耐压低的一方的MOS晶体管的漏极/衬底间的PN结短路，进行数据的写入。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 写入 读出 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性半导体存储装置，该装置是在同一衬底上配置有作为在栅导通状态下的漏极耐压即导通耐压低的存储元件使用的第一MOS晶体管和导通耐压高的第二MOS晶体管的非易失性半导体存储装置，其特征在于：将所述第一MOS晶体管的阀值电压以上的第一电压和所述第一MOS晶体管的导通耐压以上、所述第二MOS晶体管的导通耐压以下的第二电压分别加在所述第一MOS晶体管的栅极和漏极上，使所述第一MOS晶体管的漏极-衬底间的PN结短路，从而进行数据的写入，通过将所述第二电压加在所述第二MOS晶体管的漏极上来进行所述数据的读出。
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