[发明专利]α型SiC-β型SiC结合型反应烧结SiC材料和其制备方法及使用该材料的二体型等离子室阴极

摘要

本发明提供一种α型SiC-β型SiC结合型反应烧结SiC材料和其制备方法及使用该材料的二体型等离子室阴极，特别是用于半导体工程元件的α型SiC-β型SiC结合型反应烧结β型SiC材料和其制备方法，包括：通过常压或加压烧结得到α型SiC粉末，将碳粉末与所述α型SiC粉末混合得到碳-α型SiC混合体，加热所述碳-α型SiC混合体使其成形后，在真空高温环境下，与已调节好电阻的熔融硅反应，从而得到电阻符合于电学特性的β型SiC材料。本发明还提供了一种硅-SiC结构的、呈平坦或一定角度的外廓漏斗状且具有落差的二体型等离子室阴极。

主权项

1. 一种α型SiC-β型SiC结合型反应烧结SiC材料的制备方法，具体包含如下阶段：通过常压或加压烧结得到α型SiC粉末，将碳粉末与所述α型SiC粉末混合后得到碳-α型SiC混合体的阶段(S11)；所述碳-α型SiC混合体经过高温加压，得到碳-α型SiC成形体的阶段(S12)；在1400℃～2000℃的真空高温条件下，使已调节好电阻的硅与所述碳-α型SiC成形体反应并渗入到成形体内的阶段(S13)，其中硅电阻通过硼的添加量进行调节。