[发明专利]焊接触点及其形成方法无效
| 申请号： | 200810187362.0 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101521170A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 艾尔弗雷德·马丁;芭芭拉·哈斯勒;马丁·弗拉诺施;克劳斯-京特·奥珀曼 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李 慧 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种焊接触点及其形成方法。相应地还涉及一种集成电路，包括衬底和衬底上的结构层。结构层包括到衬底的开口，在衬底上具有第一范围和第二范围，其中，第一范围和第二范围至少部分地与开口重叠。集成电路还包括第一范围区域内的第一材料和第二范围区域内的第二材料。第一材料通过焊接材料阻止潮湿，以及第二材料通过焊接材料提供潮湿。 | ||
| 搜索关键词： | 焊接 触点 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成到衬底的焊接触点的方法，所述方法包括：在所述衬底的表面上提供第一范围，其中，所述第一范围通过焊接材料阻止潮湿；在所述衬底的所述表面上提供第二范围，其中，所述第二范围可通过所述焊接材料变潮湿；在所述表面上提供结构层，其中，所述结构层包括到所述衬底的开口，以及其中，所述开口至少部分地露出所述第一范围和所述第二范围；通过所述焊接材料填充所述开口，从而所述焊接材料与所述第一范围和所述第二范围接触；以及使所述焊接材料液化，从而所述焊接材料从所述第一范围中排出，并且使所述焊接材料的一部分从所述开口突出，其中，所述焊接材料的该部分形成所述焊接触点。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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