[发明专利]晶粒与晶片间三维互连的接合结构与方法有效
| 申请号： | 200810187392.1 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101635266A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 李柏毅;王宗鼎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/482;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种晶粒与晶片间三维互连的接合结构与方法。该晶粒与晶片间的接合方法，其包含：提供一晶粒，具有一导电垫片；沉积一铜金属层于该导电垫片上；沉积一氮化钽层于该铜金属层上；沉积一铜铝合金层于该氮化钽层上；形成一导电堆叠在该导电垫片上，该导电堆叠包含该铜金属层、该氮化钽层与该铜铝合金层；以及接合该晶粒的该铜铝合金层至一晶片的一穿硅导孔中的一金属插塞上，以形成一导电路径于该晶粒的该导电垫片与该晶片的该金属插塞间。本发明可缩小整个装置的尺寸；具有较好的粘着力；制造工艺简单，可减少制造工艺的成本；氮化钽层与铜铝合金层的形成制造工艺为低温制造工艺，在接合制造工艺中并不会增加装置的热能成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 晶片 三维 互连 接合 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶粒与晶片间的接合方法，其特征在于该方法包含：提供一晶粒，具有一导电垫片；沉积一铜金属层于该导电垫片上；沉积一氮化钽层于该铜金属层上；沉积一铜铝合金层于该氮化钽层上；形成一导电堆叠在该导电垫片上，该导电堆叠包含该铜金属层、该氮化钽层与该铜铝合金层；以及接合该晶粒的该铜铝合金层至一晶片的一穿硅导孔中的一金属插塞上，以形成一导电路径于该晶粒的该导电垫片与该晶片的该金属插塞间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
