[发明专利]半导体器件、浅沟槽隔离结构形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件、浅沟槽隔离结构形成方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的器件区；在各器件区内，器件之间形成的浅沟槽隔离；不同器件区内的浅沟槽隔离，其尺寸不相同。本发明在制造CMOS图像传感器时，通过控制掩膜开口宽度，保持刻蚀角度，减小了像素电路区浅沟槽隔离的尺寸，在不影响隔离性能的同时，有效防止浅沟槽漏电流的形成，同时避免了因为减小光电二极管的N区面积，而影响CMOS图像传感器的动态范围。

主权项

1. 一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：在半导体的衬底上形成垫氧化层；在所述垫氧化层上形成腐蚀阻挡层；在腐蚀阻挡层上形成光刻胶，图案化所述光刻胶；以所述图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至衬底，形成若干孔；去除光刻胶，以腐蚀阻挡层为掩膜，以相同倾斜角刻蚀半导体衬底，在所述孔内形成沟槽。在所述沟槽内形成浅沟槽隔离。