[发明专利]一种形成改善的浅绝缘沟槽结构的方法有效
| 申请号： | 200810188161.2 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101764079A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 商志峰;初曦;高永亮 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种形成改善的浅绝缘沟槽结构的方法，包括以下步骤：步骤1，将具有浅沟槽绝缘结构的半导体器件送入炉管，该半导体器件表面具有硅材料，向炉管内通入氧化用气体进行氧化，在半导体器件表面生成氧化膜；步骤2，在炉管中通入含氮气体以清洗炉管中的半导体器件，其中通入含氮气体的流量为0.6-1.0升/分钟之间，通入含氮气体的时间为45秒-100秒，而后将半导体器件移出炉管。本发明通过在制造氧化层的过程中增加含氮气体通入的时间和流量，改善上述浅绝缘沟槽结构，从而使氧化层更加平整，使浅绝缘沟槽结构角落的盘状物缺陷减小，达到改善待命电流的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 改善 绝缘 沟槽 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成改善的浅绝缘沟槽结构的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，将具有浅沟槽绝缘结构的半导体器件送入炉管，该半导体器件表面具有硅材料，向炉管内通入氧化用气体进行氧化，在半导体器件表面生成氧化膜；步骤2，在炉管中通入含氮气体以清洗炉管中的半导体器件，其中通入含氮气体的流量为0.6-1.0升/分钟之间，通入含氮气体的时间为45秒-100秒，而后将半导体器件移出炉管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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