[发明专利]光罩及其制作方法无效
申请号: | 200810188172.0 | 申请日: | 2008-12-24 |
公开(公告)号: | CN101738845A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 林佳蔚;黄登烟 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 陈怡;颜涛 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种光罩及其制作方法,该光罩包含一透光区以及一遮光区,其中该遮光区包含多个光子晶胞,每一个该光子晶胞具有一正六边形的受光面,且多个该光子晶胞的晶格常数与光源的波长的比值为一特定值,从而该光源无法通过由多个该光子晶胞所组成的遮光区。 | ||
搜索关键词: | 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种光罩,包含:一透光区;以及一遮光区,其包含多个光子晶胞,且每一所述光子晶胞具有一受光面;其中所述受光面为一正六边形,且多个所述光子晶胞的晶格常数与光源的波长的比值为一特定值,从而所述光源无法通过所述遮光区。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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